面向高热流密度 AI 芯片的冷板与流道工程

芯片级热捕获的难点在热点抑制：300 W/cm² 的平均热流密度下，局部峰值可达 608 W/cm²，普通微通道在热点处会形成温度瓶颈。射流冲击负责"破层取热"，交错铲齿微通道负责"扩展换热"，两者协同在低流量下完成高热流密度捕获。

550 W 芯片在 1.5 L/min 流量下实测最高温度 91 ℃、压降 5.8 kPa——温度裕量充足、水力代价极小。设计经物理建模→CFD→工艺→实验四段验证闭环，实测数据持续回注模型，为下一代更高功耗芯片预留设计能力。